失效分析

失效分析（Failure Analysis or FA）主要是通过电性或物理手段，对失效芯片或模组分析失效的根因，以此确保新产品顺利导入量产，并持续改善量产产品的功能和品质。

加特兰有着经验丰富的芯片产品工程团队，并与业内顶尖的第三方FA实验室建立了密切的合作关系，可高效准确地完成失效分析。

失效分析流程

1、背景信息收集

工程人员得到失效产品后，会第一时间确认客户端或下游应用端的失效反馈，在实验室尝试复现失效问题，并对样品做引脚修复等作业，为进一步FA分析做准备。   

此阶段我们会收集如下信息：

• 失效芯片发现时间、站点、数量以及批次信息
• 失效现象或功能异常描述
• 失效芯片或模组现场检查记录，如外观照片、X-Ray等

2、电性分析

此阶段我们会通过ATE、I/V curve等电性测试手段，甄别和定位失效模块。

3、非破坏性失效分析

在确定失效模块后，针对失效模块做针对性的无损分析，确认失效位置外部封装电路或外观是否存在缺陷。

4、破坏性失效分析

在非破坏性失效分析没有找到问题点的情况下，剥离封装、针对硅芯片做进一步分析。

具体分析手法如在硅芯片对应IO PAD端加一定的信号激励，通过特殊机台探查芯片内部是否存在缺陷信号。随后对缺陷信号位置进行去层切片，通过电子显微镜或物质成分分析的方式探查是否存在物理缺陷。

5、失效分析报告

最后，根据失效分析结果，总结出改善方案，避免后续产品的潜在失效风险。